國(guó)際領(lǐng)先的射頻及功率器件企業(yè)

公司成立于2010年3月，是一家擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的平臺(tái)型半導(dǎo)體公司。公司主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測(cè)業(yè)務(wù)，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場(chǎng)景。

以射頻芯片和功率芯片業(yè)務(wù)為主航道
國(guó)際領(lǐng)先的射頻功放器件和功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商
聚焦萬(wàn)物互聯(lián)和數(shù)字能源兩大應(yīng)用領(lǐng)域

800+

員工人數(shù)
250+

研發(fā)人員

華太的價(jià)值觀

卓越

卓越是華太人的發(fā)展根基
奮斗

奮斗是華太人的立足之本
開(kāi)放

開(kāi)放是華太人的處世姿態(tài)
分享

分享是華太人的精神底色

發(fā)展歷程

2022
2021
2020
2019
2018
2017
2015
2014
2010

2022
- 跨越發(fā)展
- 瑤華封測(cè)ACS射頻大功率產(chǎn)品量產(chǎn)100萬(wàn)顆
- Super IGBT、SiC MOSFET單管、工業(yè)級(jí)IGBT/SiC模塊實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- Power IC第一顆芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 截止2022年8月,LDMOS芯片出貨量超過(guò)1.5億顆
2021
- 持續(xù)創(chuàng)新
- 成立北京分公司和深圳分公司
- LDMOS芯片出貨量突破1億顆
- 1200V FS IGBT實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
- 650V和1200V SiC SBD實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
2020
- 合并擴(kuò)產(chǎn)
- 合并佛山華智新材料有限公司
- 成立長(zhǎng)沙瑤華封測(cè)廠
- 成立SoC芯片研發(fā)中心
- 推出國(guó)內(nèi)首創(chuàng)用于小基站的RF LDMOS MMIC芯片
2019
- 追求卓越
- 成立上海研發(fā)中心
- 基站類RF LDMOS產(chǎn)品累計(jì)出貨量超過(guò)1000萬(wàn)顆
- 量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)用于移動(dòng)通信 Massive MIMO宏基站的RF LDMOS射頻功率芯片套片方案
2018
- LDMOS大規(guī)模量產(chǎn)
- 通過(guò)ISO9001:2005認(rèn)證
- RF LDMOS年出貨量超過(guò)2000萬(wàn)顆
2017
- 研發(fā)突破
- 量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首創(chuàng)4G LTE基站的射頻功率芯片
- 榮獲國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)
2015
- 研發(fā)轉(zhuǎn)量產(chǎn)
- 量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首創(chuàng)GSM基站的大功率射頻功率芯片
2014
- 專注LDMOS研發(fā)
- 基于LDMOS的高性能射頻功率放大管研發(fā)
2010
- 華太成立
- 進(jìn)軍RF LDMOS

榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)

【獲獎(jiǎng)】華太電子榮獲“2021-2022中國(guó)IGBT創(chuàng)新獎(jiǎng)”

2022年8月18日，由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院等部門主辦的2022世界半導(dǎo)體大會(huì)隆重舉行。華太憑借多年在功率器件技術(shù)領(lǐng)域深耕多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先，榮獲“2021-2022中國(guó)IGBT創(chuàng)新獎(jiǎng)”。