國(guó)際領(lǐng)先的射頻及功率器件企業(yè)
公司成立于2010年3月,是一家擁有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術(shù)、多領(lǐng)域布局協(xié)同發(fā)展的平臺(tái)型半導(dǎo)體公司。公司主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售,并提供大功率封測(cè)業(yè)務(wù),產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通信基站、光伏發(fā)電與儲(chǔ)能、半導(dǎo)體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場(chǎng)景。
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以射頻芯片和功率芯片業(yè)務(wù)為主航道
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國(guó)際領(lǐng)先的射頻功放器件和功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商
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聚焦萬(wàn)物互聯(lián)和數(shù)字能源兩大應(yīng)用領(lǐng)域
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800+
員工人數(shù)
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250+
研發(fā)人員
華太的價(jià)值觀
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卓越
卓越是華太人的發(fā)展根基
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奮斗
奮斗是華太人的立足之本
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開(kāi)放
開(kāi)放是華太人的處世姿態(tài)
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分享
分享是華太人的精神底色
發(fā)展歷程
- 22
- 21
- 20
- 19
- 18
- 17
- 15
- 14
- 10
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2022
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2021
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2020
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2019
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2018
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2017
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2015
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2014
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2010
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2022
跨越發(fā)展
瑤華封測(cè)ACS射頻大功率產(chǎn)品量產(chǎn)100萬(wàn)顆
Super IGBT、SiC MOSFET單管、工業(yè)級(jí)IGBT/SiC模塊實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
Power IC第一顆芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
截止2022年8月,LDMOS芯 片出貨量超過(guò)1.5億顆
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2021
持續(xù)創(chuàng)新
成立北京分公司和深圳分公司
LDMOS芯片出貨量突破1億顆
1200V FS IGBT實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
650V和1200V SiC SBD實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
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2020
合并擴(kuò)產(chǎn)
合并佛山華智新材料有限公司
成立長(zhǎng)沙瑤華封測(cè)廠
成立SoC芯片研發(fā)中心
推出國(guó)內(nèi)首創(chuàng)用于小基站的RF LDMOS MMIC芯片
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2019
追求卓越
成立上海研發(fā)中心
基站類RF LDMOS產(chǎn)品累計(jì)出貨量超過(guò)1000萬(wàn)顆
量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首個(gè)用于移動(dòng)通信 Massive MIMO宏基站的RF LDMOS射頻功率芯片套片方案
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2018
LDMOS大規(guī)模量產(chǎn)
通過(guò)ISO9001:2005認(rèn)證
RF LDMOS年出貨量超過(guò)2000萬(wàn)顆
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2017
研發(fā)突破
量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首創(chuàng)4G LTE基站的射頻功率芯片
榮獲國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì)
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2015
研發(fā)轉(zhuǎn)量產(chǎn)
量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首創(chuàng)GSM基站的大功率射頻功率芯片
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2014
專注LDMOS研發(fā)
基于LDMOS的高性能射頻功率放大管研發(fā)
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2010
華太成立
進(jìn)軍RF LDMOS
榮譽(yù)獎(jiǎng)項(xiàng)
2022年8月18日,由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院等部門主辦的2022世界半導(dǎo)體大會(huì)隆重舉行。華太憑借多年在功率器件技術(shù)領(lǐng)域深耕多項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先,榮獲“2021-2022中國(guó)IGBT創(chuàng)新獎(jiǎng)”。