引言
隨著光伏與儲能系統(tǒng)的快速發(fā)展，新能源市場對效率和功率密度的要求越來越高，這要求功率器件的開關頻率和性能同步提升。為了滿足高開關頻率的需求，華太電子在超結IGBT一代的基礎上研發(fā)出650V和1200V的超級結IGBT第二代（以下簡稱：SJ-IGBT G2）系列產(chǎn)品。與場截止型IGBT相比，SJ-IGBT G2充分發(fā)揮了超級結的優(yōu)勢，顯著提升了器件的正向導通能力和開關特性。
01 SJ-IGBT G2技術特點
采用超級結IGBT可完美實現(xiàn)高耐壓、低通態(tài)壓降的特性。在功率器件關斷時，低摻雜的外延層要承受高耐壓；在功率器件導通時，器件內部形成一個高摻雜N+區(qū)，作為功率器件的電流通路。
相比于傳統(tǒng)FS IGBT，SJ-IGBT G2有如下優(yōu)勢：
低導通壓降：在同樣的反向耐壓下，SJ-IGBT G2具有更薄的漂移區(qū)，可有效降低芯片導通壓降。
低開關損耗：漂移區(qū)的超級結結構能夠加速空間電場建立速度，有效提升器件開關速度，降低開關損耗。
高轉換效率：華太SJ-IGBT G2與國際友商最新第七代IGBT相比，綜合性能提升40%以上，使得設備體積更小，成本更低。
02 SJ-IGBT G2性能展示
SJ-IGBT G2分為高性能(HP)和高性價比(HF)系列：
SJ-IGBT G2 HP系列擁有極低的開關損耗，可以支持硬開關頻率到100KHZ，軟開關頻率到250kHZ，主打高頻應用場景。
SJ-IGBT G2 HF系列與國際友商H7系列的產(chǎn)品性能相當，芯片面積降低10%以上，主打高性價比。
在單體和整機應用中SJ-IGBT G2與友商的性能對比:
單體性能展示
整機性能展示
SJ-IGBT G2 HF系列在充電樁PFC電路中替代原有IGBT測試
PFC效率對比-1000V
1000V條件下華太SJ-IGBT G2 HF效率最優(yōu)（滿載效率較原裝高0.06%，輕載高0.28%）。
PFC效率對比-500V
500V條件下華太SJ-IGBT G2 HF效率最優(yōu)（30kW效率較原裝高0.13%，輕載高0.17%）。
40kW PFC替代測試結論
2.SJ-IGBT G2 HP系列在充電樁LLC電路中替代超結MOS測試
1000V輸出條件下VCE&效率對比
與友商SJ
MOS相比，SJ2
HP IGBT單管系統(tǒng)效率最高95.09%@20KW，在滿載情況下，SJ2
HP比友商高0.98%
500V輸出條件下VCE&效率對比
與友商SJ
MOS相比，SJ2
HP IGBT單管系統(tǒng)效率最高95%@25KW，在輕載情況下，SJ2
HP比友商高1.24%
03 SJ-IGBT G2適合的應用
04 SJ-IGBT 產(chǎn)品概覽
SJ-IGBT G2產(chǎn)品列表
SJ-IGBT G1產(chǎn)品列表
結語
由于SJ-IGBT第二代具有高開關頻率、低導通損耗和成本優(yōu)勢，目前SJ-IGBT系列產(chǎn)品已在光伏、儲能等領域實現(xiàn)了大規(guī)模應用。該產(chǎn)品逐漸形成系列化，公司在全國多個核心城市，如蘇州、北京、上海、深圳和西安設立了辦事處，為全國客戶提供優(yōu)質服務。歡迎廣大客戶前來咨詢與合作。
關于華太
蘇州華太電子技術股份有限公司（簡稱：華太），成立于2010年3月，是一家擁有半導體產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)底層核心技術、多領域布局協(xié)同發(fā)展的平臺型半導體公司。公司主要從事射頻系列產(chǎn)品、功率系列產(chǎn)品、專用模擬芯片、工控SoC芯片、高端散熱材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，并提供大功率封測業(yè)務，產(chǎn)品可廣泛應用于通信基站、光伏發(fā)電與儲能、半導體裝備、智能終端、新能源汽車、工業(yè)控制等大功率場景。
我們的團隊精通器件設計、工藝開發(fā)、功放設計、大信號模型開發(fā)、單片微波集成電路設計、封裝設計、可靠性測試和量產(chǎn)。未來，華太將繼續(xù)培育新興技術，為全球客戶提供創(chuàng)新解決方案。
